Инновационные разработки

Разработка новых фото- и термоотверждаемых материалов на основе производных бензоциклобутена для электроники

В АО «ЦНИТИ «Техномаш» разработан технологический метод получения бензоциклобутена – перспективного материала для электронной промышленности.

Новые фото- и термоотверждаемые материалы на основе производных бензоциклобутена в электронике и микроэлектронике могут играть исключительно важную роль для создания:

  • Изоляционных структур в кремниевых, арсенид-галлиевых и керамических устройствах, в том числе СВЧ диапазона;

  • Изоляции мезоструктур (вместо окиси кремния) с низкотемпературным (не более 300ºC-400º C) нанесением;

  • Изоляции лазерных структур в квантовых каскадных лазерах;

  • Изоляционных слоев в многофункциональных высокоплотных электронных модулях, созданных по технологии 3D-микросистем ;

  • Полимерных изоляторов для оптронов (в т.ч. с возможностью фотоотверждения), обеспечивающих высокие напряжения пробоя (не менее 3кВ при толщине 0.5 мм);

  • Изоляторов в устройствах микромоторов и микрогенераторов;

  • Многослойных волноводных структур, обеспечивающих сопряжение с оптоэлектронным интерфейсом для оптических входов-выходов «системы на кристалле»;

  • Покрытий высокочастотных печатных плат для телекоммуникаций;

  • Фоторезистов для плазмохимического и ионного травления при получении прецизионных элементов топологии микросхем и коммутационных плат.

Материалы на основе бензоциклобутена обладают комплексом уникальных физико-химических свойств: низкой диэлектрической постоянной (2,65), высоким напряжением пробоя (5,3 МВ/см), высокой термической стабильностью (потеря веса < 1,7 %/ч при t=350oC), низким поглощением влаги в сочетании с хорошими механическими свойствами (предел прочности, модуль упругости, относительное удлинение при разрыве).

Получен патент RU 2612128 «СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ БЕНЗОЦИКЛОБУТЕНА МЕТОДОМ ПИРОЛИТИЧЕСКОГО РАСЩЕПЛЕНИЯ ЧЕТВЕРТИЧНЫХ АММОНИЕВЫХ СОЛЕЙ 2-МЕТИЛБЕНЗЕНЗИЛ-(ТРИАЛКИЛ)АММОНИЙ ХЛОРИДОВ», авторы: Левченко К.С., Чудов К.А., Шмелин П.С., Плешаков Е.С..