АО «ЦНИТИ «Техномаш» совместно с производственно-технологическим центром «УралАлмазИнвест» занимаются разработкой и освоением:
- технологии роста объемного и тонкопленочного карбида кремния (SiC);
- технологии широкозонных полупроводников (SiC, GaN, алмаз, кубический нитрид бора (BN), β-Ga2O3) и гетероструктур на их основе методами молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), атомно-слоевого осаждения (ALD), газофазной эпитаксии (ГФЭ), галогенового химического газофазного осаждения (HCVD), МЛЭ широкозонных металоксидов.
Проводят исследования в области:
- ферромагнитных радиопоглощающих материалов;
- метаматериалов.
Занимаются производством пластин и приборных структур на основе SiC для радиоэлектроники;
Выполняются исследования и разработка конструктивных, технологических, топологических и схемотехнических решений создания новой компонентной базы силовой полупроводниковой электроники – серии базовых СВЧ и силовых функционально-интегрированных «интеллектуальных» модулей и интегрированных системных и функционально-законченных устройств.
В перспективе:
- создание функционально сложной СВЧ и силовой «интеллектуальной» интегральной полупроводниковой электроники и устройств в едином кристалле (система на кристалле – СнК), «систем в корпусе», комплексированных изделий и коммутационных модулей.
- разработка и производство высокоэффективной элементной базы для СВЧ- и силовой электроники, базовых процессов и технологий на основе SiC, GaN/алмаз, GaN/Si.
По вопросам сотрудничества обращайтесь по телефону: + 7 (495) 278-00-00
E-mail: cnititm@cnititm.ru
