«Техномаш» разработал универсальный автоматизированный испытательный комплекс для контроля статических параметров полевых и биполярных транзисторов

. Опубликовано в Хроника событий

Специалисты АО «ЦНИТИ «Техномаш» разработали универсальный испытательный комплекс для контроля параметров полевых и биполярных транзисторов. В настоящее время проводятся испытания и калибровка комплекса перед поставкой его АО «ГЗ «Пульсар» (Москва), выступившего заказчиком разработки. Оба предприятия входят в холдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех.

До настоящего времени для каждого типа транзисторов изготавливалось специальное измерительное оборудование. Разработка универсального комплекса с возможностью его адаптации под индивидуальные задачи заказчика обеспечит расширение рынка сбыта измерительно-контрольного оборудования «Техномаша». Так потенциальными заказчиками комплекса являются крупные потребители электронно-компонентной базы, в частности, АО «Концерн ВКО «Алмаз-Антей» и АО «Корпорация «Фазотрон-НИИР», а также предприятия холдинга «Росэлектроника».

Прибор обеспечивает измерения параметров транзисторов при максимальном напряжении на стоке и коллекторе 700 В (по дополнительному требованию возможно изготовить прибор с напряжениями коллектора и истока до 2000-4000 В).

Прибор обеспечивает максимальный ток коллектора и стока транзисторов до 100 А, но возможно расширение диапазона токов до 400 А. Ток базы биполярных транзисторов может измеряться в пределах от 10-6 А до 10 А, а измерение тока утечки затвора полевых транзисторов обеспечивается начиная с величины 5х10-10 А.

Относительная погрешность измерения параметров транзисторов не более 2%. Прибор обеспечивает измерение внутренних объемных сопротивлений базы и эмиттера биполярных транзисторов. Причем предварительные испытания показали, что существует зависимость между внутренними объемными сопротивлениями базы и эмиттера транзистора и величиной собственных шумов транзисторов.

Зависимость коэффициента шума биполярных транзисторов от внутренних сопротивлений эмиттера и базы.

Графики зависимости коэффициента шума от сопротивления эмиттера и сопротивления базы приведены на рис. 1 и рис. 2 ( при различных коэффициентах усиления).

                Рисунок 1.

 

 

       Рисунок 2.

Предварительные измерения показали, что при увеличении значений этих сопротивлений некоторых значений наблюдается пропорциональный рост шумов транзистора при дальнейшем увеличении внутренних объемных сопротивлений эмиттера и базы.

Кроме того, данный прибор для проверки параметров транзисторов позволяет проводить определение крутизны полевых транзисторов не только с помощью методов по ГОСТ 20398.3-74  (Транзисторы  полевые.  Метод  измерения  крутизны  полевых  транзисторов),  основанный  на  определении  отношения  приращения  тока  стока  к  изменению  напряжения  на  затворе:

S  =  IC / ∆U(ма / В) (при этом относительная погрешность значительно увеличивается, потому что относительная погрешность разности двух величин с = а1 - а2, δ(с) = (а1 + а2) / (а1 — а2); где а1 и а2 - абсолютные погрешности величин а1 и а2).

Кроме указанного метода измерения крутизны, как отношения разности токов стока к разности напряжения на затворе (при котором увеличивается относительная погрешность определения крутизны полевых транзисторов) прибор позволяет по известным точечным значениям функциональной зависимости тока стока от напряжения на затворе построить зависимость IC = f (U3) с использованием метода наименьших квадратов и определить производную этой функции в заданной точке, которая и будет являться дифференциальной крутизной данного полевого транзистора полученной без увеличения относительной погрешности крутизны полевого транзистора при заданных погрешностях определения тока стока и напряжения на затворе.

 

             
 В составе Корпорации «Ростех» 
В составе Холдинга 
«Российская Электроника»
Член «Союза
машиностроителей России»              
 

Россия, 121108, г. Москва, ул. Ивана Франко, д. 4

Тел.: + 7 (495) 278-00-00, факс: +7 (499) 144-85-14

Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.