XXI Международная научно-техническая конференция "Высокие технологии в промышленности России" XXVIII Международного симпозиума "Тонкие пленки в электронике" VIII Международной научно-технической конференции "Наноинженерия"

. Опубликовано в Хроника событий

Новый точечный рисунок

Москва, 8-10 сентября  2016 г.

Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана

Центральный научно-исследовательский технологический институт "Техномаш"

Государственный завод "Пульсар"

XXI Международная научно-техническая конференция

ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ

(Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники)

XXVIII Международный симпозиум

ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ

VIII Международная научно-техническая

конференция

НАНОИНЖЕНЕРИЯ

ОРГКОМИТЕТ КОНФЕРЕНЦИЙ И СИМПОЗИУМА

ПРЕДСЕДАТЕЛЬ

И.Б. Федоров – Президент МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва

СОПРЕДСЕДАТЕЛЬ

В.А. Буробин – Генеральный директор АО «Государственный завод «Пульсар», Москва

ЧЛЕНЫ ОРГКОМИТЕТА

Е.П. Гребенников – Заместитель генерального директора  АО "ЦНИТИ "Техномаш", Москва (зам. председателя)

Ю.В. Панфилов – Заведующий кафедрой МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва (зам. председателя) 

А.Ф. Белянин – Руководитель научных программ, главный н. с.

АО "ЦНИТИ "Техномаш", Москва – руководитель направления

М.И. Самойлович – Руководитель научных программ, начальник

отдела АО "ЦНИТИ "Техномаш", Москва – руководитель направления

Ю.В. Гуляев Научный руководитель Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва

Н.Д. Жуков Генеральный директор ФГУП НИИ "Волга", Саратов

В.М. Елинсон – Профессор МАИ

А.Л.Каменева Профессор ПГТУ, г. Пермь

Л.Л. Колесник – Доцент МГТУ им. Н.Э. Баумана

А.Г. Колесников – Руководитель НУК "Машиностроительные технологии" МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва

В.П. Комор – Первый зам. Генерального директора ФГУП

"Ростов-на-Дону НИИ радиосвязи", Ростов-на-Дону

А.И. Кузьмичев – Руководитель научного направления НТУУ "Киевский политехнический институт",

Украина, Киев

Е.А. Левашов – Директор Научно-учебного центра "СВС НИТУ" МИСиC, Москва

П.П. Мальцев Директор Института СВЧ ПЭ РАН, Москва

С.Б. Нестеров – Заместитель генерального директора ПАО "НИИВТ" им.С.А. Векшинского, Москва

В.В. Одиноков – Генеральный директор ОАО "НИИТМ", Зеленоград

А.Б. Ринкевич – Заместитель директора Института физики металлов

УрО РАН, Екатеринбург

Э.И. Семенов – Профессор РГАТУ им. П.А. Соловьева, Рыбинск

А.С. Сигов Президент Московского института радиотехники, электроники и автоматики (ТУ), Москва

В.В. Слепцов Заведующий кафедрой МАИ

А.А. Столяров – Зам. директора Калужского филиала МГТУ им. Н.Э. Баумана, Калуга

Н.И. Сушенцов – Заведующий кафедрой «Поволжского государственного технологического университета», Йошкар-Ола

В.А. Турилов – Генеральный директор КНИИТМУ, Калуга

ВЮ.Б. Цветков – Проректор  МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва

Г.В. ЧучеваЗаместитель  директора Фрязинского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН

В.И. Шаповалов – Профессор СПбЭТУ "ЛЭТИ", Санкт-Петербург

В.А. Шахнов – Заведующий кафедрой МГТУ им. Н.Э. Баумана,

Москва

В.Д. Шашурин – Заведующий кафедрой МГТУ им. Н.Э. Баумана,

Москва

Э.М. Шпилевский Руководитель научного направления ГНУ "Института тепло- и массообмена" НАН Белоруссии, Минск

УЧЕНЫЙ СЕКРЕТАРЬ

Екатерина Вадимовна Панфилова – Доцент кафедры «Электронные технологии в машиностроении» МГТУ им. Н.Э. Баумана

( (495)267-0213, 8-916-6215724

E-mail: ev-panfilova@mail.ru

УСЛОВИЯ УЧАСТИЯ

Организационный взнос за участие в Конференции 3000 рублей, НДС не облагается.  В стоимость участия входит:

      1. Публикация доклада в сборнике Трудов Конференции, включен­ном  в РИНЦ;

      2. Сборник Трудов Конференции и раздаточные материалы;

      3. Участие в заседаниях научных секций и других мероприятиях конференции.

Оплата регистрационного взноса производится безналичным переводом.

РЕКВИЗИТЫ ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ПЛАТЕЖА

ООО  «Электровакуумные технологии»

ИНН 7732520642, КПП 773201001

р/с 40702810400000002330 в КБ «ГАРАНТ-ИНВЕСТ» (АО)

к/с 30101810745250000109 БИК 044525109

Назначение платежа: За участие в конференции «Высокие технологии в промышленности России - 2016». Фамилия, Имя, Отчество участника.

Оплатившим регистрационный взнос будут представлены все необхо­димые документы для отражения участия в бухгалтерском учете.

ВНИМАНИЕ: При отсутствии в платежном поручении сведений об участнике для получения документов потребуется доверенность от ор­ганизации-плательщика.

Копию платежного поручения с подтверждением оплаты просьба при­слать на адрес oplata@vacuum. org. ш

ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ

XXI Международной научно-технической конференции "ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ"

(Материалы и устройства функциональной электроники

и микрофотоники)

XXVIII Международного симпозиума

"ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ"

VIII Международной научно-технической конференции

“НАНОИНЖЕНЕРИЯ”

-        Материалы, оборудование и технологии производства

приборов и устройств функциональной электроники и

      микрофотоники.

-        Технологии получения, обработки и исследований

наноструктурированных и композиционных материалов для устройств и систем радиотехники и средств связи.

-        Метаматериалы,  фотонные и фононные кристаллы в оптоэлектронике, телекоммуникационных системах и приборостроении.

-        Технологии, материалы и оборудование для производства СВЧ-электронной техники и радиоэлектронных устройств.

-        Новые широкозонные полупроводники и электронные твердотельные компоненты

-        Получение, свойства и применение тонких плёнок в электронике. Слоистые структуры на основе тонких пленок.

-          Методы контроля функциональных свойств материалов электронной техники: измерительная аппаратура и       аналитические методы.

-        Нанотехнологии и наноинженерия в современном производстве; инженерные нанотехнологии в приборо- и машинстроении.

ПУБЛИКАЦИИ

К началу работы конференций будет издан сборник полных текстов докладов Труды Конференций и симпозиума.

Рабочие языки конференций – русский и английский.

ТРЕБОВАНИЯ К СОДЕРЖАНИЮ ДОКЛАДОВ

В докладах должны содержаться ранее не публиковавшиеся данные и результаты работ. Присланные доклады рецензируются.

Доклады с оригинальными сообщениями не должны превышать
10 машинописных страниц, обзорные доклады – 20 страниц, включая аннотацию, таблицы и иллюстрации. Тезисы докладов или их краткое изложение на 1-2 стр.не публикуются.

ТРЕБОВАНИЯ К ОФОРМЛЕНИЮ ДОКЛАДОВ

Материал доклада должен быть написан с максимальной ясностью и четкостью изложения текста. Авторы должны избегать необоснованного введения новых терминов и узкопрофильных жаргонных выражений.

Рабочий язык сборника докладов – русский. Доклады также могут быть представлены на английском языке. Весь текст выполняется в редакторе MicrosoftWord2003 (и ниже). Текст аннотации (сначала на русском, затем на английском языках), располагается через строчку после указания адреса.

Рисунки и фотографии должны быть отсканированы с разрешением 300 dpi в формате *.jpg или *.jpeg (черно-белая палитра или режим градации серого) и расположены в тексте статьи. Рисунки, блок-схемы, диаграммы вставляются как объекты “Рисунок Microsoft Word”. Положение рисунков устанавливается “В тексте” (при щелчке мышью по рисунку, он должен обрамляться черной сплошной рамкой). Вне зависимости от размеров, рисунки задаются в отдельных абзацах, без обтекания текстом. Использование якоря” для рисункови таблиц не допускается. Для записи формул и уравнений следует использовать встроенный редактор уравнений. Использование псевдографики для подготовки таблиц не допускается. Размер таблицы не должен выходить за рамки

заданных. Пример оформления доклада с указанием требований к форматированию текста приведен ниже.

Оргкомитет оставляет за собой право отклонять представленные доклады по следующим причинам: небрежное или несоответствующее правилам оформление, несоответствие тематике или отсутствие новизны, а также несоблюдение сроков предоставления доклада, что обусловлено  сроками выпуска сборников докладов к началу Конференций.

ПРЕДСТАВЛЕНИЕ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ПУБЛИКАЦИИ

В Оргкомитет XXI Международной научно-технической конференции "ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ"(Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники), XXVIII  Международного симпозиума "ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ" и VIII Международной научно-технической конференции "НАНОИНЖЕНЕРИЯ» до 1 июня  2016 года должны быть направлены следующие материалы:

  1. - электронной

 почтой по указанным ниже E-mail.

2. Необходимо сообщить название секции, в которой планируется участие докладчика.

3. Одновременно, по почте необходимо выслать:

- доклад, оформленный в соответствии с образцом;

- экспертное заключение (разрешение на открытое опубликование статьи) и сведения об авторах: (ФИО, название представляемой организации, должность, ученая степень и звание, домашний или служебный адреса с индексами, телефоны, факс, E-mail).

Материалы, присланные позднее указанного срока или неправильно оформленные не  рассматриваются.

Адрес для переписки:

105005 Москва, 2-я Бауманская ул., 5, МГТУ им. Н.Э. Баумана, МТ-11

(499) 267-0213 (Ю.В. Панфилов)

8-916-6215724 (Е.В. Панфилова)

E-mail: Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

 (499)146-1095,   факс (499)146-1942

 E-mail: Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.  (А.Ф.Белянин.)

              samoylovichЭтот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.(М.И.Самойлович.)

Оргкомитет гостиницей и обратными билетами не обеспечивает.


ЗАЯВКА

(заполняется на каждого из участников)

1. Фамилия, имя, отчество
2. Название доклада
3. Предполагаемая секция
4. Основной докладчик (фамилия, имя, отчество)
5. Должность, звание, ученая степень
6. Представляемая организация
7. Адрес (с указанием почтового индекса)

8. Телекоммуникации:

-         телефон

-         факс

-         E-mail

ПРИМЕР построения доклада (оформляется как научная статья)

Название статьи

А.А. Иванов1, П.П. Петров1,2

1 Страна (полное название), адрес, телефон

2 ОАО ЦНИТИ "Техномаш", Российская Федерация, 121108, Москва, ул. Ивана Франко, 4, pk2000@newmail.ru

Аннотация (на языке основного текста статьи, объем до 100 слов): шрифт – TimesNewRoman (Cyr); размер шрифта – 10 пт; начертание – обычное курсивное; расположение – по ширине; отступ первой строки абзаца – 0,6 см.

Аннотация (на английском языке): Название статьи - размер шрифта - 10 пт; начертание – жирное курсивное; (Авторы) – размер шрифта – 10 пт; начертание – жирное курсивное; Текст аннотации – размер шрифта – 10 пт; начертание – обычное курсивное

1. Наименование подзаголовка первого уровня

1.1 Наименование подзаголовка второго уровня

Формат листа: А4 (21´29,7 см).

Шрифт статьи – Times NewRoman

Название и подзаголовки набираются заглавными буквами.

Название статьи, авторы, название организации и аннотация располагаются в одну колонку. Основной текст располагается в две колонки одинаковой ширины, ширина колонки – 7,7 см, расстояние между колонками – 0,6 см.

Допускается расположение крупных рисунков, формул и таблиц в одну колонку.  Не допускается

постановка рисунков на якорь.

Параметры страницы: (отступы от края страницы) слева – 2,5 см, справа – 2,5 см, сверху– 3 см, снизу – 3 см.

Название статьи: размер шрифта – 16 пт; начертание – жирное; отступов нет; расположение – по центру.

Автор: размер шрифта 12 пт; начертание – жирное, расположение – по центру.

Название организации: размер шрифта 12 пт; начертание – обычное, расположение – по центру.

Текст статьи: размер шрифта – 10 пт; начертание – обычное; межстрочный интервал – одинарный; отступ первой строки абзаца – 0,6см; расположение – по ширине. Между значением величины и единицей ее измерения ставится жесткий пробел.

Наименование подзаголовка первого уровня: размер шрифта – 11 пт; начертание – жирное курсивное; отступов нет; расположение– по левому краю.

Рис. 1. Подпись под рисунком

Наименование подзаголовка второго уровня: размер шрифта – 10 пт; начертание – жирное курсивное; отступов нет; расположение – по левому краю.

Литература: размер шрифта – 10 пт; начертание –курсивное; отступов нет; расположение – по ширине. Не допускаются ссылки на неопубликованные материалы. Сведения об источниках приводятся в соответствии с требованиями ГОСТ 7.1-2003.Ctrl+Shift+пробел).

Подрисуночная подпись: размер шрифта – 10пт, начертание курсивное; отступов нет; расположение – по центру, вне рисунка и без якоря.

литературА

1. А.Ф. Белянин, П.В. Пащенко. Техника магнетронного распыления. М.: ПОЛЯРОН. 2002. 209 с.

2. M.I. Samoilovich, A.F. Belyanin, E.P. Grebennikov, A.V. Guriyanov. Bacteriorhodopsin − the basis of molecular superfast nanoelectronics // Nanotechnology. 2002. V.13. P.763−767.

 

             
 В составе Корпорации «Ростех» 
В составе Холдинга 
«Российская Электроника»
Член «Союза
машиностроителей России»              
 

Россия, 121108, г. Москва, ул. Ивана Франко, д. 4

Тел.: + 7 (495) 278-00-00, факс: +7 (499) 144-85-14

Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.