На выставке были представлены результаты совместных разработок АО «ЦНИТИ «Техномаш» и Российского технологического университета (РТУ МИРЭА) по теме: «Разработка новых термостойких материалов с низкой диэлектрической проницаемостью для микроэлектроники на основе производных о- и п-ксилиленов, получаемых из соединений бензоциклобутена и циклофана».
Новые фото- и термоотверждаемые материалы на основе производных бензоциклобутена, разрабатываемые в рамках проекта, в электронике и микроэлектронике могут играть исключительно важную роль для создания:
- Изоляционных структур в кремниевых, арсенид-галлиевых и керамических устройствах, в том числе СВЧ диапазона;
- Изоляции мезоструктур (вместо окиси кремния) с низкотемпературным (не более 300ºC-400º C) нанесением;
- Изоляции лазерных структур в квантовых каскадных лазерах;
- Изоляционных слоев в многофункциональных высокоплотных электронных модулях, созданных по технологии 3D-микросистем;
- Полимерных изоляторов для оптронов (в т.ч. с возможностью фотоотверждения), обеспечивающих высокие напряжения пробоя (не менее 3кВ при толщине 0.5 мм);
- Изоляторов в устройствах микромоторов и микрогенераторов;
- Многослойных волноводных структур, обеспечивающих сопряжение с оптоэлектронным интерфейсом для оптических входов-выходов «системы на кристалле»;
- Покрытий высокочастотных печатных плат для телекоммуникаций;
- Фоторезистов для плазмохимического и ионного травления при получении прецизионных элементов топологии микросхем и коммутационных плат.
Работа выполняется в рамках ФЦП: «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 – 2020 годы».
Номер Соглашения о предоставлении субсидии: 14.577.21.00273.
(уникальный идентификатор проекта RFMEFI57717X0273).
